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        ITO膜的介紹

        ITO膜的介紹

        • 分類:行業動態
        • 作者:
        • 來源:
        • 發布時間:2023-01-05
        • 訪問量:0

        【概要描述】 ITO膜除了具有較高的可見光透過率和電導率外,還具有其他優異的性能,如紅外反射率高、對玻璃的附著力強、機械強度和化學穩定性好、易于通過酸溶液濕法刻蝕工藝形成電極圖形等。

        ITO膜的介紹

        【概要描述】 ITO膜除了具有較高的可見光透過率和電導率外,還具有其他優異的性能,如紅外反射率高、對玻璃的附著力強、機械強度和化學穩定性好、易于通過酸溶液濕法刻蝕工藝形成電極圖形等。

        • 分類:行業動態
        • 作者:
        • 來源:
        • 發布時間:2023-01-05
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          ITO膜除了具有較高的可見光透過率和電導率外,還具有其他優異的性能,如紅外反射率高、對玻璃的附著力強、機械強度和化學穩定性好、易于通過酸溶液濕法刻蝕工藝形成電極圖形等。廣泛應用于平板顯示器件、微波和射頻屏蔽器件、敏感器件、太陽能電池等領域。特別是近年來,液晶等平板顯示器件的興起,促進了ITO膜的研究和需求。

          目前,DC磁控濺射是一種廣泛使用的ITO鍍膜方法,一般采用導電銦錫合金靶材。在濺射室抽真空后,應引入惰性氣體氬氣和反應氣體O2.濺射的基本過程:靶材是作為陰極濺射的材料,作為陽極的基片上施加幾千伏的電壓。系統預抽真空后,充入適當壓力的惰性氣體如Ar作為氣體放電的載體,少量O2作為反應氣體??倝毫σ话阍?0-1 ~ 10 Pa范圍內。在正負電極之間的高壓作用下,電極之間的大量氣體原子會被電離,電離過程會將Ar原子電離成獨 立運動的Ar離子和電子,其中電子會飛向陽極,而帶正電的Ar離子會在高壓電場的加速下高速飛向陰極靶,在與靶的碰撞過程中釋放能量。碰撞的結果之一是大量的靶表面原子獲得了相當高的能量,使得它們不受原晶格的約束而飛向基底,與高活性的O等離子體發生反應并沉積在基底上。

          一般ITO膜在濺射后都需要熱處理。不同的成膜工藝有兩種方式。如果沉積膜是缺氧且不透明的銦錫氧化物膜,熱處理通常應該在氧化氣氛如氧氣氛或空氣中進行。反之,如果沉積的薄膜含氧較多,透明度較高,電導率較低,則應在真空或氮氫混合還原氣氛中進行??紤]到工業生產的要求,如防止銦錫合金靶材中毒、提高成膜速率、防止襯底溫度過高等,保持沉積的薄膜處于缺氧狀態是較好的選擇。

          該工藝適用于ITO膜的連續鍍膜,膜厚均勻,易于控制,膜的重復性和穩定性好。適合連續生產,可用于大面積涂布?;缀桶械南嗷ノ恢每梢愿鶕硐朐O計任意放置,可以在低溫下制備致密的薄膜。該工藝適合大規模工業化生產,是目前應用最廣泛的涂布方法。需要改進的是,這種工藝對設備的真空度要求更高。薄膜的光電性能對濺射參數的變化非常敏感,因此工藝難以調整,靶材利用率很低(約20%)。

          射頻磁控濺射沉積利用射頻電源解決了DC磁控濺射沉積絕緣介質膜時的“液滴”和異常放電問題。利用絕緣銦錫陶瓷靶材沉積ITO薄膜,工藝調整相對簡單,制備的ITO薄膜成分與靶材基本相同,但陶瓷靶材制作復雜,價格昂貴。同時,射頻濺射的沉積速率低,襯底溫度高(對襯底要求高),射頻電源效率低,設備復雜,射頻輻射對工人健康危害相當大。


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